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FDB9406-F085 è obsoleto e non è più in produzione.
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FDB9406-F085 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDB9406-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB9406-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | FDB9406-F085 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 110 A (Tc) 176W (Tj) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDB9406-F085 Modelli |
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 138 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7710 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Dissipazione di potenza (max) 176W (Tj) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8mohm a 80A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
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Sostituti (12)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMYS1D3N04CTWG | onsemi | 0 | NVMYS1D3N04CTWGOSCT-ND | € 1,75000 | Consigliato dal produttore |
| BUK761R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-7133-2-ND | € 1,48706 | Simile |
| BUK961R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1895-1-ND | € 4,22000 | Simile |
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | 229 | IPB015N04NGATMA1CT-ND | € 4,40000 | Simile |
| IPB120N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB120N04S402ATMA1CT-ND | € 1,02000 | Simile |
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