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FDB120N10 è obsoleto e non è più in produzione.
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FDB120N10 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDB120N10TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB120N10CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | FDB120N10 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 74 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5605 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 74A, 10V |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| PHB27NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-4763-1-ND | € 1,33000 | Simile |
| PHB45NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-4766-1-ND | € 2,21000 | Simile |
| PSMN9R5-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-7218-1-ND | € 2,53000 | Simile |
| STB80NF10T4 | STMicroelectronics | 0 | 497-2489-1-ND | € 3,03000 | Simile |
Obsoleto
