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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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1N6000B/TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | 150-1N6000B/TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | 1N6000B/TR |
Descrizione | DIODE ZENER 10V 500MW DO204AH |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 10 V 500 mW ±5% Foro passante DO-204AH (DO-35) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Impedenza (max) (Zzt) 15 Ohms |
Produttore | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 nA @ 8 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.1 V @ 200 mA |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -65°C ~ 175°C |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Tipo di montaggio Foro passante |
Tolleranza ±5% | Contenitore/involucro |
Potenza - Max 500 mW | Contenitore del fornitore DO-204AH (DO-35) |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N6000B | Microchip Technology | 0 | 1N6000BMS-ND | € 1,51938 | Equivalente parametrico |
| 1N6000C | Microchip Technology | 0 | 1N6000C-ND | € 3,04719 | Equivalente parametrico |
| 1N6000D | Microchip Technology | 0 | 1N6000D-ND | € 3,79846 | Equivalente parametrico |
| BZX55B10-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZX55B10-TAPGICT-ND | € 0,08000 | Equivalente parametrico |
| BZX55B10-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BZX55B10-TRGICT-ND | € 0,08000 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 417 | € 1,66288 | € 693,42 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,66288 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,02871 |
