IXTY01N80 IXYS | FET, MOSFET singoli

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IXTY01N80
Codice DigiKey	IXTY01N80-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTY01N80
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 25µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8 nC @ 10 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 60 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100mA (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 50ohm a 100mA, 10V	Codice componente base IXTY01

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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IXTY01N80