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IXTP8N65X2M | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXTP8N65X2M-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTP8N65X2M |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 |
Tempi di consegna standard del produttore | 41 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Foro passante TO-220 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 800 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 32W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-220 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 550mohm a 4A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP600N60Z | onsemi | 0 | FCP600N60ZOS-ND | € 2,63000 | Simile |
| IPP60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R600P7XKSA1-ND | € 0,00000 | Simile |
| IPP80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP80R600P7XKSA1-ND | € 0,73166 | Simile |
| SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | SPP07N60C3XKSA1-ND | € 2,52000 | Simile |
| STP10NM60ND | STMicroelectronics | 626 | 497-12276-ND | € 2,17000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
Scorte di fabbrica: 1 450
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,71000 | € 2,71 |
| 50 | € 1,82840 | € 91,42 |
| 100 | € 1,57190 | € 157,19 |
| 500 | € 1,12848 | € 564,24 |
| 1 000 | € 1,07386 | € 1 073,86 |
| 2 000 | € 0,98782 | € 1 975,64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,71000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,30620 |
