IXTP2N80 IXYS | FET, MOSFET singoli

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IXTP2N80
Codice DigiKey	IXTP2N80-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTP2N80
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 2 A (Tc) 54W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,5V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22 nC @ 10 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 54W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-220-3
RDSon (max) a Id, Vgs 6,2ohm a 500mA, 10V	Codice componente base IXTP2

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXFP7N80P	IXYS	0	IXFP7N80P-ND	€ 3,99000	Consigliato dal produttore
STP2N80K5	STMicroelectronics	0	497-14279-5-ND	€ 1,43000	Simile

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IXTP2N80