Canale N, modalità depletion 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Foro passante TO-220-3
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IXTP08N100D2

Codice DigiKey
238-IXTP08N100D2-ND
Produttore
Codice produttore
IXTP08N100D2
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IXTP08N100D2 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14.6 nC @ 5 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
325 pF @ 25 V
Confezionamento
Tubo
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET
Tipo di montaggio
Foro passante
Tecnologia
Contenitore del fornitore
TO-220-3
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Contenitore/involucro
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
21ohm a 400mA, 0V
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,10000€ 3,10
50€ 1,56640€ 78,32
100€ 1,41790€ 141,79
500€ 1,15756€ 578,78
1 000€ 1,07393€ 1 073,93
2 000€ 1,01799€ 2 035,98
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,10000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,78200