IXFX30N110P IXYS | FET, MOSFET singoli

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STMicroelectronics

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Prezzo unitario : € 4,68000

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IXFX30N110P
Codice DigiKey	IXFX30N110P-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFX30N110P
Descrizione	MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1100 V 30 A (Tc) 960W (Tc) Foro passante PLUS247™-3

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 6,5V a 1mA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 235 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Polar	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 13600 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 1100 V	Contenitore del fornitore PLUS247™-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore/involucro Variante TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IXFX30
RDSon (max) a Id, Vgs 360mohm a 15A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STWA20N95K5	STMicroelectronics	0	497-14583-5-ND	€ 4,68000	Simile

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IXFX30N110P