IXFQ10N80P IXYS | FET, MOSFET singoli

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IXFQ10N80P
Codice DigiKey	IXFQ10N80P-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFQ10N80P
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 10 A (Tc) 300W (Tc) Foro passante TO-3P
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,5V a 2,5mA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Polar	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2050 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-3P-3, SC-65-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IXFQ10
RDSon (max) a Id, Vgs 1,1ohm a 5A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
APT11F80B	Microchip Technology	0	APT11F80B-ND	€ 3,39750	Simile
STW10NK80Z	STMicroelectronics	0	497-3254-5-ND	€ 4,90000	Simile

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