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IXFA10N60P | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXFA10N60P-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXFA10N60P |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 10 A (Tc) 200W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA (IXFA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1610 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-263AA (IXFA) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 740mohm a 5A, 10V |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1541-1-ND | € 1,85000 | Simile |
| R6007ENJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6007ENJTLCT-ND | € 1,96000 | Simile |
| R6007KNJTL | Rohm Semiconductor | 14 | R6007KNJTLCT-ND | € 1,65000 | Simile |
| SIHFS9N60A-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHFS9N60A-GE3-ND | € 0,80678 | Simile |
| STB10N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-STB10N60M2CT-ND | € 1,87000 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,98000 | € 3,98 |
| 50 | € 2,13120 | € 106,56 |
| 100 | € 2,03220 | € 203,22 |
| 500 | € 1,73396 | € 866,98 |
| 1 000 | € 1,63405 | € 1 634,05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,85560 |
