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Canale N 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1
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SPP20N60CFDXKSA1

Codice DigiKey
448-SPP20N60CFDXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
SPP20N60CFDXKSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SPP20N60CFDXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
124 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2400 pF @ 25 V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Dissipazione di potenza (max)
208W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-TO220-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
220mohm a 13,1A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IRF830AVishay Siliconix0IRF830A-ND€ 0,00000Simile
IRF830APBFVishay Siliconix0IRF830APBF-ND€ 2,45000Simile
IRFBC30APBFVishay Siliconix0IRFBC30APBF-ND€ 3,16000Simile
SIHP15N65E-GE3Vishay Siliconix0SIHP15N65E-GE3-ND€ 1,30622Simile
SIHP22N65E-GE3Vishay Siliconix0SIHP22N65E-GE3-ND€ 1,75151Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
500€ 1,62416€ 812,08
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,62416
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,98148