Name: ISC011N06LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC011N06LM5ATMA1TR-ND
Price: 4.8678 EUR
Availability: OutOfStock

ISC011N06LM5ATMA1 è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.

Sostituti disponibili:

Simile

Rochester Electronics, LLC

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 4,41000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

ISC011N06LM5ATMA1
Codice DigiKey	448-ISC011N06LM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC011N06LM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC011N06LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC011N06LM5ATMA1
Descrizione	TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 37A (Ta), 288A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-17
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISC011N06LM5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 116µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 170 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11000 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 188W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-17
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 37A (Ta), 288A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base ISC011N
RDSon (max) a Id, Vgs 1,15mohm a 50A, 10V