IPW65R110CFDFKSA1 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


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Prezzo unitario : € 6,00000
Scheda tecnica
Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
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IPW65R110CFDFKSA1

Codice DigiKey
448-IPW65R110CFDFKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IPW65R110CFDFKSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 1,3mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
118 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3240 pF @ 100 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
277,8W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-TO247-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
110mohm a 12,7 A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (7)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IPW65R110CFDFKSA2Infineon Technologies0448-IPW65R110CFDFKSA2-ND€ 5,53000Equivalente parametrico
FCH110N65F-F155onsemi0FCH110N65F-F155-ND€ 7,47000Simile
SIHG33N65EF-GE3Vishay Siliconix0SIHG33N65EF-GE3-ND€ 6,79000Simile
STW30N65M5STMicroelectronics0497-10655-5-ND€ 5,34000Simile
STW31N65M5STMicroelectronics0497-STW31N65M5-ND€ 4,16000Simile
Obsoleto
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