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IPW65R080CFDAFKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPW65R080CFDAFKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPW65R080CFDAFKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 43,3 A (Tc) 391W (Tc) Foro passante PG-TO247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPW65R080CFDAFKSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 161 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4440 pF @ 100 V |
Confezionamento Tubo | Dissipazione di potenza (max) 391W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO247-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 17,6 A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,76mA |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH46N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFH46N65X2-ND | € 6,34000 | Simile |
| SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG40N60E-GE3-ND | € 5,95000 | Simile |
| STW48NM60N | STMicroelectronics | 0 | 497-11367-5-ND | € 6,80000 | Simile |
| TK35N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK35N65WS1F-ND | € 8,59000 | Simile |
| TK39N60W5,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK39N60W5S1VF-ND | € 6,03000 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 6,65000 | € 6,65 |
| 30 | € 3,59067 | € 107,72 |
| 120 | € 3,45725 | € 414,87 |
| 510 | € 3,07110 | € 1 566,26 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 6,65000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 8,11300 |
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