Name: IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4CEATMA1TR-ND
Price: 1.8544 EUR
Availability: OutOfStock

IPD80R1K4CEATMA1 è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.

Sostituti disponibili:

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 0,69000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPD80R1K4CEATMA1
Codice DigiKey	IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD80R1K4CEATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD80R1K4CEATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 240µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 570 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD80R1
RDSon (max) a Id, Vgs 1,4ohm a 2,3A, 10V