Name: DMN2020LSN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2020LSN-7DITR-ND
Price: 0.6222 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN2020LSN-7
Codice DigiKey	DMN2020LSN-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2020LSN-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2020LSN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2020LSN-7
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 6,9 A (Ta) 610mW (Ta) A montaggio superficiale SC-59-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.6 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1149 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 610mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,9 A (Ta)	Contenitore del fornitore SC-59-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 20mohm a 9,4A, 4,5V	Codice componente base DMN2020

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Sostituti (3)

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