Name: DMHC3025LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHC3025LSD-13DITR-ND
Price: 1.342 EUR
Availability: OutOfStock

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Diotec Semiconductor

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Prezzo unitario : € 1,99000

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DMHC3025LSD-13
Codice DigiKey	DMHC3025LSD-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMHC3025LSD-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMHC3025LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMHC3025LSD-13
Descrizione	MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6 A, 4,2 A 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMHC3025LSD-13 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,5W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A, 4,2 A	Codice componente base DMHC3025
RDSon (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V