2N7002-G Comchip Technology | FET, MOSFET singoli

2N7002-G è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Diretto

Comchip Technology

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 0,24000

Simile

onsemi

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 0,25000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

2N7002-G
Codice DigiKey	2N7002-G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Comchip Technology
Codice produttore	2N7002-G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Comchip Technology	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 25 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 250mA (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base 2N7002
RDSon (max) a Id, Vgs 3ohm a 250mA, 10V